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ASUS Séries MAXIMUS VI FORMULA

3-11

Chapitre 3

Load 4x2GB BBSE 1.65V 2200

Chargement du prol mémoire 4x2GB BBSE 1.65V 2200

Load 2x4GB Samsung 1.65V 2666

Chargement du prol mémoire 2x4GB Samsung 1.65V 2666

Load 2x4GB Samsung 1.85V 2666

Chargement du prol mémoire 2x4GB Samsung 1.85V 2666

Load 2x4GB Samsung 1.85V 2800

Chargement du prol mémoire 2x4GB Samsung 1.85V 2800

Load 4x4GB Samsung 1.65V 2666

Chargement du prol mémoire 4x4GB Samsung 1.65V 2666

Load 4x4GB Samsung 1.85V 2666

Chargement du prol mémoire 4x4GB Samsung 1.85V 2666

Load 2x4GB Hynix 1.65V 2600

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix 1.65V 2600

Load 2x4GB Hynix 1.85V 2600

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix 1.85V 2600

Load 2x4GB Hynix 1.85V 2750

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix 1.85V 2750

Load 2x4GB LN2 Hynix 2.0V 2800

Chargement du prol mémoire 2x4GB LN2 Hynix 2.0V 2800

Load 2x4GB Hynix 1.65V 2666

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix 1.65V 2666

Load 2x4GB Hynix 1.85V 2666

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix 1.85V 2666

Load 2x4GB Hynix Single-sided 1.65V 2400

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix Single-sided 1.65V 2400

Load 2x4GB Hynix Single-sided 1.85V 2400

Chargement du prol mémoire 2x4GB Hynix Single-sided 1.85V 2400

Load 2x4GB Hynix Single-sided 1.85V 3000

Chargement du prol mémoire 4x4GB New Single-sided 1.85V 2933

Load 2x8GB Samsung 1.65V 2400

Chargement du prol mémoire 2x8GB Samsung 1.65V 2400

Load 2x8GB Samsung 1.85V 2600

Chargement du prol mémoire 2x8GB Samsung 1.85V 2600

Load 4x8GB Samsung 1.65V 2400

Chargement du prol mémoire 4x8GB Samsung 1.65V 2400

Load 2x8GB Hynix 1.85V 2600

Chargement du prol mémoire 2x8GB Hynix 1.85V 2600

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