華碩 RAMPAGE IV BLACK EDITION 主機板使用手冊
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第四章
• 實際表現效能將依使用的處理器與記憶體型號而異。
• 請勿將散熱系統移除,散熱情況應受到監控。
調整 DRAM Power
DRAM-AB Current Capability
設定較高的數值提供 DRAM 插槽 A 與 B 更大的總電力範圍,同時擴展超頻
頻率的範圍。
DRAM-CD Current Capability
設定較高的數值提供 DRAM 插槽 C 與 D 更大的總電力範圍,同時擴展超頻
頻率的範圍。
DRAM-AB Voltage Frequency
本項目用來調整記憶體插槽 A 與 B 切換頻率。指派固定的高記憶體頻率來增
加超頻的範圍,或低記憶體頻率以獲得較佳的系統穩定度。
DRAM-CD Voltage Frequency
本項目用來調整記憶體插槽 C 與 D 切換頻率。指派固定的高記憶體頻率來增
加超頻的範圍,或低記憶體頻率以獲得較佳的系統穩定度。
DRAM-AB Power Phase Control
記憶體插槽 A 或 B,選擇 Extreme 設定全相模式來增加系統效能,或是選擇
Optimized 設定華碩最佳化相數調整設定檔來增加記憶體電力效率。
DRAM-CD Power Phase Control
記憶體插槽 C 或 D,選擇 Extreme 設定全相模式來增加系統效能,或是選擇
Optimized 設定華碩最佳化相數調整設定檔來增加記憶體電力效率。
點選以套用變更點選以不做變更
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